
Le développement de dopants de type N améliorant les propriétés électroniques des semi-conducteurs organiques a été entravé par leur faible stabilité et leur forte réactivité à l’air. Des chercheurs de l’équipe du Prof. Heeney et de l’équipe PCR ont démontré que des précurseurs de dopants, carboxylés et stables à l’air, peuvent surmonter ce défi. Les dopants actifs de type N sont facilement générés par décarboxylation sous activation thermique et améliorent avec succès les performances de transistors à effet de champ organiques (OFET)